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百货详情》更多资讯请关注：news.znds.com。这项成果以BifunctionalNbS2‑BasedAsymmetricHeterostructureforLateralandVerticalElectronicDevices为题发表在国际著名学术期刊ACSNano上，全部第一作者为清华大学材料学院博士生王博伦。
成果简介近日，玩意清华大学材料学院刘锴课题组在单层MoS2上外延生长NbS2从而实现了对NbS2底面的原位保护。(b)异质结接触和机械剥离NbS2接触的MoS2场效应晶体管性能对比图，百货插图为异质结接触器件的转移特性曲线。
全部(e)对忆阻器施加连续的正向电压脉冲和反向电压脉冲电压来模拟神经突触的长时程增强和长时程抑制特性。因此，玩意这种单面保护、单面氧化的非对称垂直异质结构（MoS2-NbS2-NbOx），兼具隧穿导电和阻变导电两种不同的导电功能。